تکه هایی از این پایان نامه :

شبیه سازی سلول 6 ترانزیستوری پایه

 

این سلول از 6 ترانزیستور تشکیل شده که 4 تا از آنها از نوع NMOS و 2 تای آنها از نوع PMOS می باشند که در ادامه جدول پارامترهای شبیه سازی این مدار آورده شده می باشد.

در این شبیه سازی از تکنولوژی 180 نانومتر برای شبیه سازی بهره گیری شده می باشد که گویای مدل کتابخانه­ای بهره گیری شده برای ترانزیستورها و در ادامه به شبیه سازی مدار برای ترانزیستورها در حالت­های مختلف خواهیم پرداخت که شامل ابعاد یکسان برای ترانزیستور ها و ابعاد متفاوت برای ترانزیستورها می باشد که در حالتی که ابعاد متفاوت می باشند نسبت طول به عرض کانال  که با پارامتر W/L معرفی گردید برای ترانزیستورهای NMOS دو برابر ترانزیستورهای NMOS در نظر گرفته شده می باشد. آغاز به مطالعه حالتی می­پردازیم که ابعاد مساوی در نظر گرفته شده می باشد.

همانطور که درجداول بالا نظاره می گردد یک پالس مربعی که برای شبیه سازی فرایند های خواندن و نوشتن و نگداری داده در سلول به سلول مورد نظر اعمال شده که در این جداول مشخصات این پالس ها آمده می باشد در این مشخصات مواردی از قبیل دامنه پالس که گویای ولتاژ اعمال شده به عنوان مقدار یک منطقی به گره Bite-line می باشد که وظیفه این گره انتقال ورودی به ترانزیستورهای دستیابی و در نهایت به سلول می باشد هنگامی که ورودی این گره در حالت حداکثر قرار دارد یک به سلول انتقال داده می گردد و در نتیجه آن یک منطقی در سلول ذخیره می گردد علاوه بر پالس مورد نظر یک پالس دیگر با عرض پالسی معادل نصف عرض پالسی که به گره Bite-line اعمال گردیده دلیل این امر آن می باشد که می خواهیم در طی فرایندی که داده 1 روی خط Bite-line قرار دارد در طی این فرایند با یک اعمال داده یک به خط Word-line و یک بار اعمال صفر به این خط فرایند خواندن و نوشتن داده در سلول انجام گیرد.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید:

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

 thesis-power-word