تکه هایی از این پایان نامه :

ساختار داخلی سلول حافظه

2-3-1 سلول حافظه 6 ترانزیستوری پایه

هسته اصلی حافظهSRAM  را آرایه­ای از سلول­ها تشکیل می­دهد که این سلول در حالت پایه از 6 ترانزیستور ساخته شده می باشد و قسمت زیادی از مساحت سلول را اشغال می­کند به همین دلیل مساحت اشغال شده توسط یک سلول عامل تعیین کننده­ای در طراحی یک SRAM  با تراکم بالا می­باشد.

این سلول پایه 6 ترانزیستوری دارای معضلات و معایبی ازجمله سرعت، حاشیه نویز ایستا و جریان نشتی می­باشد که در این عوامل نیز در ارتباط با یکدیگر می­باشند. در ادامه به مطالعه عوامل موثر در عملکرد این سلول و مطالعه سلول­های ارائه شده ای که هر یک با هدف بهبود یکی از عوامل ذکر گردیده طراحی و ارایه شده­اند می­پردازیم. درسلول پایه که ساختار شماتیک مداری آن در شکل 2-3 آمده می باشد نظاره می­کنیم که این سلول دارای ساختار کلی که شامل دو بخش معکوس کننده که هر بخش از دو ترانزیستور ماسفت یکی از نوع NMOS  و دیگری از نوع PMOS  می­باشد که در شکل 4-2 ساختار این معکوس کننده آورده شده می باشد.

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید:

 thesis-power-word