عنوان کامل پایان نامه : کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی

تکه هایی از این پایان نامه :

مطالعه جریان نشتی در سلول حافظه

جریان نشتی که پیش از این مطرح گردید که عامل نگهدارنده داده در سلول می باشد این جریان نشتی سبب ایجاد توان مصرفی ایستا در سلول های SRAM می گردد که این جریان و در نتیجه آن توان مصرفی ایستا توسط ترانزیستورهای تشکیل دهنده سلول های حافظه گیت قابل برنامه ریزی میدانی ایجاد می گردند (عزیزی مزرعه و همکاران 1387، 12). این توان مصرفی ایستا در سلول های حافظه به عنوان یک عامل نامطلوب شناخته می گردد که به طریقی بایستی کوشش در کاهش آن داشته باشیم پس در نتیجه بایستی اقدام به کاهش جریان نشتی ترانزیستورهای تشکیل دهنده سلول بنماییم (Osadka et al 2003, 1952-1957).

برای بهبود عملکرد گیت قابل برنامه ریزی میدانی از نظر کاهش توان ایستا بایستی با در نظر داشتن این نکته که عمده این توان در سلول های حافظه در حالت بیکاری ناشی از جریان های نشتی ایجاد می گردد در اکثر اوقات در زمان بیکاری سلول های حافظه SRAM در حالت بیکاری می­باشند و هیچ گونه عملیات نوشتن یا خواندنی روی این سلول ها انجام نمی­گیرد در این حالت سلول های SRAM دارای جریان نشتی می باشند که با در نظر داشتن موارد ذکر گردیده بایستی برای کاهش توان مصرفی ایستا کوشش در کاهش این جریان نشتی حالت بیکاری بنماییم.

در سلول حافظه جدید 5 ترانزیستوری که پیش از این به مطالعه آن پرداختیم داده در سلول براساس فیدبک مثبت ناشی و جریان نشتی ترانزیستورها نگهداری می­گردد با در نظر داشتن این نکته متوجه می­شویم که در این سلول جریان نشتی بیش از سلول پایه 6 ترانزیستوری می­باشد در نتیجه آن توان مصرفی ایستا در این سلول جدید نسبت به سلول پایه 6 ترانزیستوری بیشتر بوده که بایستی کوشش در کمبود آن بنماییم.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید:

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

 thesis-power-word