تکه هایی از این پایان نامه :

نوشتن در سلول جدید

در این سلول در طی فرایند نوشتن در سلول ترانزیستور شماره 5 که به نام ترانزیستور قطع  کننده شناخته می گردد و گره­ای که تغذیه معکوس کننده ترانزیستورهای 3و 4 را تامین می کند را در سطح ولتاژ VDD  نگه می­دارد که این گره در شکل با نام  N  مشخص شده می باشد به همین علت در طی عملیات نوشتن در سلول جدید خط Read  در سطح زمین نگه داشته می­گردد و پس از آن سلول مراحل بعدی را طی می­کند (عزیزی مزرعه و همکاران 1387، 12).

آغاز داده مورد نظر “0 ” یا “1” منطقی روی خط داده قرار می­گیرد سپس با اعمال ولتاژ بالا به خط فعال سازی داده این خط فعال شده در نتیجه ترانزیستور NMOS دستیابی روشن می­گردد و داده­ای که از مرحله قبل روی خط داده قرار گرفته بود از مسیر ترانزیستور دستیابی روی به گره ST می­رسد و در این گره قرار می­گیرد در نتیجه ولتاژ گره معادل با داده خوانده شده می­گردد (عزیزی مزرعه و همکاران 1387، 12).

در این مرحله حالت سلول تغییر می­کند که در این وضعت دو حالت رخ می­دهد:

  • داده­ای که روی خط داده قرار گرفته برابر 1 باشد دراین حالت ولتاژ گرهST به ولتاژ سطح بالا می­آید که این امر از طریق ترانزیستور دستیابی اتفاق می افتد در نتیجه این فرایند ورودی سطح بالا یا “1” منطقی به معکوس کننده ترانزیستورهای 3 و4 اعمال می گردد که سبب می گردد ترانزیستورهای 3 روشن و 4 خاموش گردند که روشن شدن ترانزیستور 3 سبب پایین آمدن و زمین شدن ولتاژ گره STB می گردد حال که ولتاژ گره STB  پایین آمد با در نظر داشتن این نکته که گیت ترانزیستور شماره 2 به گره STB اتصال دارد و این تراتزیستور از نوع PMOS می­باشد این ترانزیستور روشن شده و یک مسیر فیدبک مثبت توسط ترانزیستورهای شماره 2 و 3 ایجاد می­گردد که این مسیر فیدبک مثبت سبب نگهداری داده 1 در سلول می­گردد (عزیزی مزرعه و همکاران 1387، 12).

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید:

 thesis-power-word