عنوان کامل پایان نامه : کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی

تکه هایی از این پایان نامه :

ساختار داخلی سلول حافظه

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

2-3-1 سلول حافظه 6 ترانزیستوری پایه

هسته اصلی حافظهSRAM  را آرایه­ای از سلول­ها تشکیل می­دهد که این سلول در حالت پایه از 6 ترانزیستور ساخته شده می باشد و قسمت زیادی از مساحت سلول را اشغال می­کند به همین دلیل مساحت اشغال شده توسط یک سلول عامل تعیین کننده­ای در طراحی یک SRAM  با تراکم بالا می­باشد.

این سلول پایه 6 ترانزیستوری دارای معضلات و معایبی ازجمله سرعت، حاشیه نویز ایستا و جریان نشتی می­باشد که در این عوامل نیز در ارتباط با یکدیگر می­باشند. در ادامه به مطالعه عوامل موثر در عملکرد این سلول و مطالعه سلول­های ارائه شده ای که هر یک با هدف بهبود یکی از عوامل ذکر گردیده طراحی و ارایه شده­اند می­پردازیم. درسلول پایه که ساختار شماتیک مداری آن در شکل 2-3 آمده می باشد نظاره می­کنیم که این سلول دارای ساختار کلی که شامل دو بخش معکوس کننده که هر بخش از دو ترانزیستور ماسفت یکی از نوع NMOS  و دیگری از نوع PMOS  می­باشد که در شکل 4-2 ساختار این معکوس کننده آورده شده می باشد.

وظیفه بخش معکوس کننده در سلول 6 ترانزیستوری پایه نگهداری داده ورودی و خوانده شده و ارائه آن به رشته بیتی که برای آدرس دهی و مشخص کردن ورودی جدول جستجو می باشد، می باشد.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید:

 thesis-power-word