عنوان کامل پایان نامه : کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی

تکه هایی از این پایان نامه :

سلول SRAM سخت شده نسبت به صفر

با در نظر داشتن مشاهداتی که انجام شده اکثر بیت­های پیکربندی در طراحی های مختلف صفر می باشند ایده اصلی در طراحی این سلول ها اعمال یک حلقه فیدبک با بهره گیری از یک ترانزیستور دستیابی و سیگنال تازه سازی می باشد. همزمان با کاهش شارژ گره یک سیگنال تازه سازی برای روشن کردن ترانزیستور دستیابی به مقصود فعال کردن حلقه فیدبک برای شارژ مجدد خازن گره ذخیره سازی داده (Gill et al 2007, 1–6). این نوع سلول به گونه کامل در زمانی که صفر در سلول ذخیره شده سخت شده و برخورد ذرات پرانرژی نمی تواند موجب تغییر داده در سلول گردد. با در نظر داشتن این نکته که این نوع سلول از سیگنال تازه سازی برای حفظ داده بهره گیری می کند و این سیگنال تازه سازی بایستی به تمام سلول های حافظه پیکر بندی مسیریابی و اعمال گردد (Gill et al 2007, 1–6). پس هر چرخه تازه سازی شامل شارژ و دشارژ بار خازنی خط تازه سازی می باشد و به این دلیل که خط تازه سازی به تمام برای تمام سلول­های حافظه پیکربندی مسیر دهی شده بارخازنی خط تازه سازی مقداری بزرگ و قابل ملاحظه می باشد و مقدار قابل ملاحظه­ای توان در طول چرخه تازه سازی مصرف می­گردد (Azizi Mazreah et al 2012, 10).

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید:

 thesis-power-word