تکه هایی از این پایان نامه :

سلول­های سخت شده:

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

در این سلول­ها با نام قفل و ذخیره داده به شکل دوگانه شناخته می­شوند. این سلول­ها به گونه کامل و صدرصد نسبت به تغییر داده براثر برخورد ذرات پرانرژی سخت شده­اند و در گره­هایی که حساس نسبت به تغییر داده در اثر برخورد ذرات پرانرژی می باشند کاملاً نسبت به این رویداد ایزوله و تقویت شده­اند. دراین سلول­ها در طی چرخه دستیابی حلقه فیدبک متصل شده و سلول مانند یک سلول معمولی کار             می­کند(Azizi Mazreah et al 2012, 10) . در طول چرخه ایده آل یا بیکاری حلقه فیدبک قطع شده پس یک پالس گذرا نمی­تواند در طول این حلقه منتشر گردد در نقطه شروع آن گردد                    (Lin and Kim 2011, 19). دراین سلول­ها نیز از سیگنال تازه­سازی بهره گیری شده و این سیگنال می­بایستی به کل سلول­های SRAM مسیریابی و اعمال گردد (Azizi Mazreah et al 2012, 10) و مشابه سلولی که پیش از این ارائه گردید درهر چرخه تازه­سازی شامل شارژ و دشارژ بار خازنی خط تازه­سازی و به این علت که خط تازه­سازی برای تمامی سلول­های حافظه مسیردهی شده به همین دلیل با خازنی خط تازه­سازی مقدار بزرگی خواهد بود و در نتیجه در طی چرخه تازه­سازی توان ایستای زیادی را مصرف می­کند             (Azizi Mazreah et al 2012, 10). در ادامه طراحی layout  نمونه­ای از این نوع سلول­ها آورده شده.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید:

 thesis-power-word